在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

1 ．要得到 P 型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的（       ）

A ．三价元素                                            B ．四价元素

C ．五价元素                                            D ．六价元素

2 ．理想二极管构成的电路如题 2 图，其输出电压 u₀ 为（       ）

A ． -6V

B ． 0V

C ． +3V

D ． +9V

3 ．某锗三极管测得其管脚电位如题 3 图所示，则可判定该管处在（       ）

A ．放大状态

B ．饱和状态

C ．截止状态

D ．无法确定伏态

4 ．场效应管的转移特性如题 4 图所示，则该管为（       ）

A ． P 沟道增强型 FET

B ． P 沟道耗尽型 FET

C ． N 沟道增强型 FET

D ． N 沟遭耗尽型 FEI

5 ．三种组态的放大电路中，共基极放大电路的特点是（       ）

A ． u₀ 与 u_i 反相能放大电流                       B ． u₀ 与 u_i 同相能放大电压

C ． u₀ 与 u_i 同相能放大电流                       D ． u₀ 与 u_i 反相能放大功率

6 ．已知某基本共射放大电路的 I_CQ=1mA ， U_CEQ=6V ，管子的饱和压降 U_ces=1V ， R_c=R_L=

4K Ω，则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为（       ）

A ． 1V                                                      B