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全国2005年4月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题

来源:  点击数:  录入时间:07-07-24 17:29:14

一、单项选择题 ( 本大题共 15 小题,每小题 2 分,共 30 )

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

1. 要得到 P 型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的 (       )

A. 三价元素                          B. 四价元素

C. 五价元素                          D. 六价元素

2. 理想二极管构成的电路如题 2 图,该图是 (       )

A.V 截止 U0=-4V

B.V 导通 U0=+4V

C.V 截止 U0=+8V

D.V 导通 U0=+12V

 

 

3.NPN 型三极管处在放大状态时是 (       )

A.UBE<0, UBC<0                      B.UBE>0, UBC>0

C.UBE>0, UBC<0                      D.UBE<0, UBC>0

4. NPN 型管组成的共射放大电路,输入 ui 为正弦波,输出 u0           波形,则该电路产生了 (       )

A. 频率失真                          B. 交越失真

C. 截止失真                          D. 饱和失真

5. 两级放大电路,考虑到级间的相互影响后, |Au1|=100,|Au2|=1000 ,则两级总的电压放大倍数用分贝表示为 (       )

A.60dB                               B.80dB

C.100dB                              D.120dB

6. 在双端输入的差动放大电路中,输入信号 ui1 ui2 分别为 60mv 40mv ,则其共模输入信号 uic 和差模输入信号 uid (       )

A.100mv 20mv                        B.50mv

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