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一、单项选择题
(
本大题共
15
小题,每小题
2
分,共
30
分
)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.
要得到
P
型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的
(
)
A.
三价元素
B.
四价元素
C.
五价元素
D.
六价元素
2.
理想二极管构成的电路如题
2
图,该图是
(
)
A.V
截止
U0=-4V
B.V
导通
U0=+4V
C.V
截止
U0=+8V
D.V
导通
U0=+12V
3.NPN
型三极管处在放大状态时是
(
)
A.UBE<0, UBC<0
B.UBE>0, UBC>0
C.UBE>0, UBC<0
D.UBE<0, UBC>0
4.
由
NPN
型管组成的共射放大电路,输入
ui
为正弦波,输出
u0
为
波形,则该电路产生了
(
)
A.
频率失真
B.
交越失真
C.
截止失真
D.
饱和失真
5.
两级放大电路,考虑到级间的相互影响后,
|Au1|=100,|Au2|=1000
,则两级总的电压放大倍数用分贝表示为
(
)
A.60dB
B.80dB
C.100dB
D.120dB
6.
在双端输入的差动放大电路中,输入信号
ui1
和
ui2
分别为
60mv
和
40mv
,则其共模输入信号
uic
和差模输入信号
uid
为
(
)
A.100mv
和
20mv
B.50mv
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