在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

1 ．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（　　　）

A ．本征半导体                                         B ．温度

C ．杂质浓度                                            D ．掺杂工艺

2 ．理想二极管构成的电路如题 2 图所示，则（　　　）

A ． V 截止 U₀ ＝－ 10V

B ． V 截止 U₀ ＝－ 3V

C ． V 导通 U₀ ＝－ 10V

D ． V 导通 U₀ ＝－ 6V

3 ．某电路中晶体三极管的符号如题 3 图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（　　　）

A ．放大状态

B ．饱和状态

C ．截止状态

D ．状态不能确定

4 ． FET 的转移特性如题 4 图所示，则该管为（　　　）

A ． N 沟道耗尽型

B ． N 沟道增强型

C ． P 沟道耗尽型

D ． P 沟道增强型

5 ．下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（　　　）

A ．共射组态                                            B ．共基组态

C ．共集组态                                            D ．共漏组态

6 ．某单级放大电路的通频带为 ，由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路，其总的通频带 应是（　　　）

A ． ＝ 2                                        B ． >

C ． >2                                         D