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一、单项选择题
(
本大题共
16
小题，每小题
2
分，共
32
分
)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.
半导体三极管处在放大状态时是
(
)
A.C
结正偏
e
结正偏
B.C
结反偏
e
结反偏
C.C
结正偏
e
结反偏
D.C
结反偏
e
结正偏
2.
理想二极管构成的电路如题
2
图，则输出电压
U0
为
(
)
A.-18V
B.-3V
C.+3V
D.+15V
3.
某放大状态的三极管，测得其管脚电位为：①脚
u1=0V,
②脚
u2=-0.7V
，③脚
u3=6V,
则可判
定该管为
(
)
A.NPN
型①是
e
极
B.NPN
型③是
e
极
C.NPN
型②是
e
极
D.NPN
型①是
c
极
4.
场效应管的转移特性如题
4
图，则该管为
(
)
A.P
沟道增强型
FET
B.P
沟道耗尽型
FET
C.N
沟道增强型
FET
D.N
沟道耗尽型
FET
5.
由
NPN
型管构成的基本共射放大电路，当输入
ui
为正弦波时，在示波器上观察输出
u0
的波形如题
5
图示，则该电路产生了
(
)
A.
频率失真
B.
交越失真
C.
饱和失真
D.
截止失真
6.
三种组态的放大电路中，共集电极放大电路的特点是
(
)
A.
能放大电流能放大电压
B.
能放大功率不能放大电压
C.
能放大功率不能放大电流
D.
能放大电压不能放大电流
7.
放大电路中自给偏压偏置电路适用的管子是
(
)
A.NPN
型晶体管
B.
结型
P
沟道
FET
C.N
沟道增强型
FET
D.N
沟道耗尽型
FET
8.
题
8
图所示电路为一般比较器电路，其门限电压
UT
为
(
)
A.-4V
B.-2V
C.+2V
D.+4V
9.
单相桥式整流电路变压器次级电压为
10V(
有效值
)
，则每个整流二极管所承受的最大反向电压为
(
)
A.10V
B.14.14V
C.20V
D.28.28V
10.
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