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一、填空题
(
每小题
1
分,共
14
分
)
1.
对同一晶闸管,维持电流
IH
与擎住电流
IL
在数值大小上有
IL________IH
。
2.
功率集成电路
PIC
分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是
________
。
3.
晶闸管断态不重复电压
UDSM
与转折电压
UBO
数值大小上应为,
UDSM________UBO
。
4.
电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压
UFm
等于
________
,设
U2
为相电压有效值。
5.
三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差
________
。
6.
对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值
________
。
7.
晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻
R
是
________
措施。
8.
三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有
________
二种方式。
9.
抑制过电压的方法之一是用
________
吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。
10.180
°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在
________
的上、下二个开关元件之间进行。
11.
改变
SPWM
逆变器中的调制比,可以改变
________
的幅值。
12.
为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是
________
。
13.
恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是
________
。
14.
功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用
________
型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。
二、单项选择题
(
每小题
1
分,共
16
分。从每小题的四个备选选答案,选出一个正确答案,并将正确答案的号码填在题干后面的括号内。
)
15.
功率晶体管
GTR
从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为
(
)
A.
一次击穿
B.
二次击穿
C.
临界饱和
D.
反向截止
16.
逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成
(
)
A.
大功率三极管
B.
逆阻型晶闸管
C.
双向晶闸管
D.
可关断晶闸管
17.
在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是
(
)
A.
干扰信号
B.
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